본 발명은 실리콘 웨이퍼에 큰 농도(5×1019/㎤ 이상)로 불순물을 주입할 경우, 필연적으로 발생하는 부정합전위를 제거하기 위한 방법 및 그 구조에 관한 것이다.일반적으로 반도체소자의 소오스와 드레인을 형성하기 위해서는 큰 농도의 불순물 주입공정이 요구되며, 또한 X-선 마스크와 마이크로머신 그리고 접합웨이퍼의 제작공정시 반드시 큰 농도의 불순물 주입공정이 요구된다. 그러나 종래의 불순물 주입방법에 의하면 부정합전위가 발생하여 큰 농도로 불순물이 주입된 층의 전기적 특성과 기계적 특성을 악화시켜 왔다.본 발명에서는 종래 결함을 감안하여 웨이퍼내로 전파되는 전위를 차단하는 링패턴 형성 방법을 이용하여 웨이퍼에 링형태로 불순물의 주입이 차단되는 영역을 형성시켜 동 영역에 의해 둘러싸인 부분의 영역에는 전위가 존재하지 않도록 하므로서 전위가 없는 큰 농도의 불순물이 주입된 층을 형성할 수 있도록 하여 전기적 특성이 우수한 전기소자와 기계적 특성이 우수하면서 표면거칠기가 매우 작은 고신뢰성의 X-선 마스크 및 마이크로머신 그리고 접합웨이퍼를 제공하게 되는 것이다.