인버터회로에서의고속게이트구동회로

Abstract

본 발명은 고속반도체 스위치로 구성되는 인버터회로에 있어서 다이오드의 역회복 제한 기술을 이용한 고속게이트 구동회로에 대한 것이다. 근래의 게이트 구동회로는 게이트저항(Rg)에 의존하여 고속게이트 구동회로를 구성했기 때문에 저항값이 작을 경우에는 반도체소자의 정격용량을 넘게 되는 문제점과 아울러 스위칭잡음 및 전자간섭이 커져서 주위의 제어회로가 오동작을 할 수 있으며, 또한 저항값을 크게 할 경우에는 스위칭손실 및 스위칭시간의 증가를 초래하는 결점이 있었다. 본 발명에는 이러한 종래 문제점을 감안하여 역회복전류를 직접 센싱토록 함으로서 게이트 구동회로의 신뢰성향상과 스위칭손실이 적고 고속으로 스위칭할수 있으는 게이트 구동회로를 제공할수 있도록 한 것이다.