나노 와이어 제조방법

Abstract

본 발명은 나노 와이어 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 나노 와이어 제조방법은 실리콘층에 희생층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생층 패턴이 형성된 실리콘층에 제1 마스크 물질층을 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크 물질층을 수직식각하여, 상기 희생층 패턴의 측벽에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생층 패턴을 제거하는 단계와, 상기 제1 마스크 패턴에 따라 상기 실리콘층을 수직식각하여, 실리콘 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 부피에 대한 표면적의 비가 높고, 감지도가 높은 나노 와이어 제조방법을 제공하는 등의 효과가 있다.나노 와이어, 제1 마스크 패턴, 실리콘 나노 패턴, 식각 저지 보호막, 등방성 식각