DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이광현 | ko |
dc.contributor.author | 윤의식 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-09T09:02:59Z | - |
dc.date.available | 2022-12-09T09:02:59Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302423 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 CMOS 이미지센서에 관한 것으로서, CMOS 이미지센서에서 빛이 입사되는 표면에 가까이 형성되는 P-N접합부와 그 하단의 P-N접합부를 갖는 PNP접합 구조의 포토다이오드가 동시에 작용되도록 하여 표면부 근처에서 흡수율이 높은 청색계열 파장 및 하단부에서 흡수율이 높은 적색계열 파장에 대해 모두 반응할 수 있도록 할 뿐만 아니라 표면부의 P-N접합 포토다이오드의 캐패시턴스를 상쇄시켜 수집된 광전하가 전압으로 변환되는 비율을 증가시킴으로서 높은 신호대 잡음비를 갖도록 함으로써 표준 CMOS공정의 수정 없이 이미지센서 소자의 효율 및 변환이득을 증가시켜 높은 감도를 갖도록 한 이점이 있다. 이미지센서, 영상센서, CMOS, 단위화소, 포토다이오드, 감도 | - |
dc.title | CMOS 이미지센서의 단위화소 | - |
dc.title.alternative | UNIT PIXEL OF CMOS IMAGE SENSOR | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 윤의식 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2002-0019983 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0456067-0000 | - |
dc.date.application | 2002-04-12 | - |
dc.date.registration | 2004-10-28 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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