씨모스 게이트 산화물 안티퓨즈를 이용한 3-트랜지스터한번 프로그램 가능한 롬3-Transistor OTP ROM using CMOS Gate Oxide Antifuse
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이귀로 | ko |
| dc.contributor.author | 김진봉 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-12-09T09:01:29Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-09T09:01:29Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302405 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 씨모스 게이트 산화물 안티퓨즈를 이용한 3-트랜지스터 한번 프로그램 가능한 롬에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 제1 입력단, 제2 입력단, 및 제3 입력단을 구비하고, 제1 내지 제3 입력단에 인가되는 전압에 의하여 데이터를 저장할 수 있는 한번 프로그램 가능한 롬 셀에 있어서, 제2 입력단을 형성하는 게이트, 드레인, 및 제1 입력단을 형성하는 소오스를 구비하고, 게이트 및 소오스 간에 입력되는 전압에 의하여 활성화되는 셀 액세스 트랜지스터, 게이트, 드레인, 및 셀 액세스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 소오스를 구비하고, 게이트에 인가되는 바이어스 전압에 의하여 드레인으로부터 소오스로 전류를 도통시킴으로써, 제3 입력단에 인가되는 고전압이 셀 액세스 트랜지스터에 직접 인가되는 것을 차단시키는 고전압 차단 트랜지스터, 및 제3 입력단을 형성하는 게이트, 및 서로 접속되어 고전압 차단 트랜지스터의 드레인에 접속되는 소오스 및 드레인을 구비하고, 제3 입력단에 고전압이 인가되고, 셀 액세스 트랜지스터가 활성화된 경우 게이트 산화물이 항복되어 단락되는 안티퓨즈 트랜지스터를 포함한다. CMOS, 게이트 산화물, 안티퓨즈, OTP 롬, 메모리 | - |
| dc.title | 씨모스 게이트 산화물 안티퓨즈를 이용한 3-트랜지스터한번 프로그램 가능한 롬 | - |
| dc.title.alternative | 3-Transistor OTP ROM using CMOS Gate Oxide Antifuse | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이귀로 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김진봉 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2003-0042986 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0500579-0000 | - |
| dc.date.application | 2003-06-28 | - |
| dc.date.registration | 2005-07-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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