화학기상증착법에의한코발트다이실리사이드콘택형성방법

Abstract

본 발명은 화학기상증착법에 의한 코발트다이실리사이드 (cobalt disilicide) 증착과 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스(source)(15)드레인(drain)(30) 및 게이트(gate)(3) 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위한 실리사이드 (silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판온도 600℃ 이상에서 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi2(7)를 직접 형성시킴으로서, 후속공정인 열처리 및 보호막 증착 공정들을 생략할 수 있어 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있다. 이와 같은 화학기상증착법은 도포성(step coverage)이 우수하여 기가디램(Giga D RAM)급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다. 또한 기존의 콘택형성 공정보다도 공정온도가 낮고 단결정이나 단결정에 가까운 에피택시층(epitaxial layer)의 CoSi2(7)를 성장시킴으로써 소스(15), 드레인(30)에서의 특성이 우수한 콘택을 형성시킬수 있다.