블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

Abstract

블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자는 전극층 및 상기 전극층과 접촉하며, 상기 전극층으로부터 발생한 열에 따라 결정형으로 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극층과 상변화층 사이에는 마스크층을 포함하며, 여기에서 상기 마스크층은 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역이 선택적으로 제거되는 방식으로 패터닝된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 제조방법은 블록공중합체의 자기조립 구조를 이용, 상변화층과 전극층 사이의 접촉면적을 제어, 감소시키므로, 소자의 리셋 전류를 감소시킬 수 있다. 더 나아가, 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용, 마스크층을 제조하므로, 리쏘그래피-식각 공정을 통한 마스크 주형 제조방식에 비하여 보다 경제적인 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다.