산화막다공성실리콘기판을이용한초고주파소자SUPPER HIGH FREQUENCY DEVICE USING OXIDIZED POROUS SILICON SUBSTRATE
본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 구현을 위한 인덕터(inductor), 커패시터(capacitor), 저항(resistor) 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1GHz 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도(semi-conducting) 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 1996-08-09
- Application Number
- 10-1996-0033270
- Registration Date
- 2001-10-31
- Registration Number
- 10-0314610-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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