DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 신형철 | ko |
dc.contributor.author | 길준호 | ko |
dc.contributor.author | 제민규 | ko |
dc.contributor.author | 이종호 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-11-24T03:04:04Z | - |
dc.date.available | 2022-11-24T03:04:04Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300683 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 주 트랜지스터의 바디 부위에 바이어스를 가함으로써, 논리값(logic value)의 전이시 문턱 전압(threshold voltage)을 낮춰 빠른 동작이 이루어지도록 하고, 그 외에는 높은 문턱전압을 유지하여 누설전류가 작도록 하며, 동작 전압에 제한 없이 동작되도록 한 전계효과트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제1트랜지스터와; 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제2트랜지스터를 포함하며; 상기 제2트랜지스터의 소오스는 상기 제1트랜지스터의 바디 부위에 연결되고, 상기 제2트랜지스터의 드레인은 상기 제1트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 게이트는 상기 제1트랜지스터의 드레인 또는 소오스에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다. | - |
dc.title | 보조 트랜지스터를 구비한 고속/저전력 전계효과트랜지스터 | - |
dc.title.alternative | HIGH SPEED AND LOW ELECTRIC POWER FET WITH SUBSIDIARY MOSFET | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 신형철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 길준호 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 제민규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이종호 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0007771 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0271207-0000 | - |
dc.date.application | 1998-03-09 | - |
dc.date.registration | 2000-08-11 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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