저온증착법에 의한 에피택셜 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법Method for fabrication of epitaxial cobalt-disilicide layer at low temperatures
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 안병태 | ko |
| dc.contributor.author | 이화성 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-24T03:04:00Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-24T03:04:00Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300682 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저온에서의 에피택셜 코발트다이실리사이드 형성과 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인 및 폴리실리콘 게이트 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위한 실리사이드 공정에서 단결정 CoSi2를 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 단결정 CoSi2를 형성시키기 위하여 400∼600℃로 실리콘 기판 온도를 유지한 다음 코발트를 스퍼터링법 이나 금속유기화학증착법을 이용하여 임계증착속도 이하로 공급하여 400∼600℃의 저온에서 에피택셜 CoSi2 이나 (100) 우선방위를 가진 CoSi2를 반응기 내에서 인시튜(In-situ)로 형성시킨다. 본 발명은 400∼600℃의 온도에서 코발트의 공급을 임계증착속도 이하로 낮추어 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 Co2Si나 CoSi와 같은 중간 화합물을 형성시키지 않고 바로 CoSi2를 직접 형성시킴으로서 중간층의 증착 및 보호막 증착 공정 없이 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있으며, 미세구조의 콘택공정에서도 누설전류가 적은 콘택공정을 수행할 수 있어 기가디램급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다. | - |
| dc.title | 저온증착법에 의한 에피택셜 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법 | - |
| dc.title.alternative | Method for fabrication of epitaxial cobalt-disilicide layer at low temperatures | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이화성 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1999-0032369 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0349625-0000 | - |
| dc.date.application | 1999-08-06 | - |
| dc.date.registration | 2002-08-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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