화학증착법에의한질화갈륨박막의제조방법

Abstract

본 발명은 전자 및 광학소자의 절연막으로 사용되는 질화갈륨의 박막제조방법에 관한 것으로 질화갈륨 박막의 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3, Et2(N3)Ga:NH3, Me2(N3)Ga:NH2tBu, Et2(N3)Ga:NH2tBu를 비교적 높은 수율로 합성하여 가열하지 않고 실온에서 증기를 얻을 수 있는 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3 와 Et2(N3)Ga:NH3 를 사용하여 비교적 낮은 증착 온도인 450℃∼550℃에서 질화갈륨박막을 제조하였다. 기질로는 값비싼 사파이어 기질을 쓰지 않고 비교적 값싼 규소(111) 웨이퍼를 사용하여 경제적인 질화갈륨 박막의 제조와 대면적의 박막증착이 가능하다. 형성된 박막을 분석한 결과 갈륨과 질소가 1 : 1 의 조성비로 구성되었으며 (0002) 방향으로 우선배향성을 가지고 잘 성장하였음을 확인하였다.