금속강유전성반도체전개효과트란지스터의제조방법

Abstract

본 발명은 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터(MFS FET: metal ferroelectric semiconductor field effect transistor)의 제조방법에 관한 발명이다. 결정구조가 비정질(amorphous)상태인 불화바륨마그네슘(BaMgF4) 강유전체 박막(ferroelectric thin film)을 반도체 기판 위에 증착한 후 상부의 금속전극과 반도체 기판 사이에 전계(electric field)를 가하면서 열처리를 행함으로써 분극방향(polarization axis)으로 우선방위(preferred orientation)를 갖는 강유전체막을 제조하여 MFS FET의 분극유지특성이 향상됨을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법이다.