디알킬인듐아지드를이용한질화인듐막의형성방법DIALKYL INDIUM AZIDE COMPOUND AND METHOD FOR FORMING INDIUM NITRIDE FILM USING THE SAME
본 발명은 태양전지, 광소자 등에 사용되는 반도체 화합물인 질화인듐막의 제조방법에 관한 것이다. 선구물질로서 유기인듐화합물인 비스[μ-(아지도-N, N′)테트라메틸]디인듐을 포함한 디알킬 인듐 아지드를 합성하고, 이들은 단일 선구 물질로 사용하여 규소(111) 기질 위에 화학 증착법의한 질화인듐 막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하여 비교적 저가의 규소(111)기질을 사용하여 낮은 온도에서 증착하여 육방형 질화인듐막을 제조하는 방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 1998-02-18
- Application Number
- 10-1998-0005057
- Registration Date
- 2001-03-08
- Registration Number
- 10-0291204-0000
- Appears in Collection
- CH-Patent(특허)
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