띠형 기판상의 박막 형성방법 및 그에 사용되는 장치a form method and apparatus for thin film
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 염도준 | ko |
| dc.contributor.author | 유재은 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-22T02:02:55Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-22T02:02:55Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300443 | - |
| dc.description.abstract | 연속적으로 공급되는 띠형 기판 상에 균일한 박막, 예컨대 고온초전도물질의 박막을 형성하는 방법 및 그에 사용되는 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명은, BaCuO2, CuO 및 Y2O3 등의 금속산화물을 가늘고 긴 막대형태로 소결한 것을 레이저로 동시에 가열하여 증발시킴으로써 연속된 띠형 금속기판에 고온 초전도체박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 균일한 성질을 나타내는 고온 초전도체 단결정 박막을 연속적으로 제조할 수 있으며, 원통형 챔버의 내벽 전체에 띠형 금속기판을 나선형으로 감아 이동시키면서, 빠른 속도로 대량 생산할 수 있다. | - |
| dc.title | 띠형 기판상의 박막 형성방법 및 그에 사용되는 장치 | - |
| dc.title.alternative | a form method and apparatus for thin film | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 염도준 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유재은 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1997-0065111 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0232062-0000 | - |
| dc.date.application | 1997-12-01 | - |
| dc.date.registration | 1999-09-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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