3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 제조 방법 및 메모리 칩3-dimensional nonvolatile memory device, method of fabricating the same and memory chip
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이완규 | ko |
| dc.contributor.author | 김정우 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-21T01:00:43Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-21T01:00:43Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300172 | - |
| dc.description.abstract | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 제조 방법 및 메모리 칩이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자에 따르면, 적어도 하나의 낸드 스트링은 기판 상에 제된다. 상기 적어도 하나의 낸드 스트링은 상기 기판 상으로 상향 신장된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 포함한다. 상기 적어도 하나의 반도체 기둥은 각 낸드 스트링 내에 적어도 하나의 측방향 확장부를 포함한다. | - |
| dc.title | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 제조 방법 및 메모리 칩 | - |
| dc.title.alternative | 3-dimensional nonvolatile memory device, method of fabricating the same and memory chip | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정우 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0088405 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1137770-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-09-09 | - |
| dc.date.registration | 2012-04-12 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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