에스오아이 기판 및 그 제조방법SOI wafer and fabricating method of the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이기성 | ko |
| dc.contributor.author | 오재섭 | ko |
| dc.contributor.author | 김영수 | ko |
| dc.contributor.author | 강민호 | ko |
| dc.contributor.author | 황욱중 | ko |
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 문동일 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-21T01:00:37Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-21T01:00:37Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300171 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일측면에 따르면, 반도체 기판을 식각하여 소정 두께를 가지는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 측벽 상에 식각방지층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 인접영역 및 상기 활성층의 하부영역을 식각하여 상기 활성층 하부에 소정의 두께를 가지는 잔류층으로 서로 분리되는 함몰영역을 형성하는 단계; 및 상기 잔류층을 산화시켜 분리산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SOI 기판 형성방법이 제공된다. | - |
| dc.title | 에스오아이 기판 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | SOI wafer and fabricating method of the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이기성 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 오재섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김영수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강민호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 황욱중 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0123970 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1172436-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-12-07 | - |
| dc.date.registration | 2012-08-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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