깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기Direct Conversion Receiver Using Vertical BipolarJunction Transistor Available in Deep n-well CMOSTechnology
본 발명은 DC 오프셋, I/Q회로간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 수신 감도가 우수한 직접 변환 수신기에 관한 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 표준 3중웰 CMOS 공정에서 구현된 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 믹서의 스위칭 소자 및 기저 대역 아날로그 회로에 사용하여, 직접 변환 수신기를 구현한다. 나아가, 본 발명의 다른 실시예에서는 수동 믹서를 사용함으로써, 1/f 잡음의 발생을 억제하고, 기저 대역 아날로그 회로에는 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 사용함으로써, DC 오프셋, I/Q 회로간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 직접 변환 수신기를 구현한다.직접 변환 수신기, 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터, 3중웰 CMOS 공정, 믹서, 스위칭 소자