졸-겔법을이용한에피텍시얼리튬니오븀산화물박막의제조방법PREPARATION OF EPITAXICIAL THIN FILM OF LITHIUM NNOBIUM
질소 또는 아르곤 분위기 하에서 리튬 이소프로폭사이드와 니오븀 이소프로폭사이드를 1:1의 몰비로 섞어 메탄올에 녹이고, 70에서 5시간 동안 교반하면서 환류시켜 코팅 용액을 얻고, 이 용액을 사파이어 기판 위에 덜어뜨린 후 회전시켜 기판 위에 이 용액의 막을 고르게 입히고, 이 코팅된 기판을 200℃에서 건조시킨 다음 코팅과 건조를 반복하여 다중 박막을 얻고, 이 다중 박막을 400℃ 이상의 온도에서 30분 동안 최종 열처리함으로써, 사파이어 기판과 결정학적 배향이 유사한 면만 에피텍시얼(epitaxial)하게 성장된 유사 단결정 리튬 니오붐 산화물 박막의 제조 방법이 개시된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 1992-10-15
- Application Number
- 10-1992-0018961
- Registration Date
- 1996-04-12
- Registration Number
- 10-0098220-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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