반도체 소자 및 그의 제조 방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, PMOSFET 영역 및 NMOSFET 영역을 포함하는 기판; 상기 PMOSFET 영역 상의 제1 활성 패턴들; 상기 NMOSFET 영역 상의 제2 활성 패턴들; 상기 제1 및 제2 활성 패턴들을 가로지르며 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극들; 및 상기 게이트 전극들 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 배선들을 포함한다. 상기 게이트 전극들은 제1 피치(P1)에 따라 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 배열되고, 상기 제1 배선들은 제2 피치(P2)에 따라 상기 제2 방향으로 배열되며, 상기 제2 피치(P2)는 상기 제1 피치(P1)보다 작다.