수직 형태 자기 이방성을 이용한 자기 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치Magnetic device adopting perpendicular shape magnetic anisotropy (PSMA) and memory device including the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신민철 | ko |
| dc.contributor.author | 강두형 | ko |
| dc.contributor.author | 노성철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-09-29T02:10:42Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-29T02:10:42Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/287956 | - |
| dc.description.abstract | 자기 소자는, 압전층, 상기 압전층 상에 수직 방향으로 적층되고 수직 자기 형태 이방성(perpendicular shape magnetic anisotropy)을 갖는 자유층, 상기 자유층 상에 상기 수직 방향으로 적층되는 비자성층 및 상기 비자성층 상에 상기 수직 방향으로 적층되는 고정층을 포함한다. PSMA를 갖는 자유층을 이용함으로써 높은 열적 안정성을 가질 수 있고, 자기 소자의 수직 자화를 반전할 때 압전층에 스트레인 전압을 인가하여 자유층의 자화 용이축을 수평 방향으로 변환함으로써 스위칭 전류를 감소할 수 있다. | - |
| dc.title | 수직 형태 자기 이방성을 이용한 자기 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치 | - |
| dc.title.alternative | Magnetic device adopting perpendicular shape magnetic anisotropy (PSMA) and memory device including the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 신민철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 노성철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0178382 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2306829-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-12-30 | - |
| dc.date.registration | 2021-09-23 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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