유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 기반의 부성미분저항을 갖는 부성미분저항 소자 및 회로NDR DEVICE AND CIRCUIT HAVING A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BASED ON ORGANIC-INORGANIC HYBRID HALIDE PEROVSKITE
본 발명은 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트(organic-inorganic hybrid halide perovskite) 기반의 나노선을 이용하여 저전압 조건에서 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR)을 갖는 양자 혼성화 부성미분저항 소자 및 회로에 관한 것으로, 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부 및 상기 채널부의 양단에 연결된 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함한다.