유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 기반의 부성미분저항을 갖는 부성미분저항 소자 및 회로NDR DEVICE AND CIRCUIT HAVING A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BASED ON ORGANIC-INORGANIC HYBRID HALIDE PEROVSKITE
본 발명은 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트(organic-inorganic hybrid halide perovskite) 기반의 나노선을 이용하여 저전압 조건에서 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR)을 갖는 양자 혼성화 부성미분저항 소자 및 회로에 관한 것으로, 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부 및 상기 채널부의 양단에 연결된 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2019-08-07
- Application Number
- 10-2019-0096130
- Registration Date
- 2021-07-07
- Registration Number
- 10-2276551-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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