플래시 메모리 시스템 및 그의 동작 방법FLASH MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

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본 기술은 컨트롤러 및 메모리 장치를 포함하는 플래시 메모리 시스템의 동작 방법에 있어서, 블록 단위 연접 BCH(BLOCK-WISE CONCATENATED BCH, BC-BCH) 방식에 의해 행 부호와 열 부호로 구성되는 메시지 블록 단위로 부호화된 코드워드에 대하여 경판정 복호를 수행하는 제1단계; 상기 경판정 복호를 실패한 경우, 상기 메시지 블록 중 상기 경판정 복호에 실패한 오류 메시지 블록의 위치를 산출하는 제2단계; 상기 오류 메시지 블록에 대한 상기 행 부호 및 열 부호에 대응하는 연판정 정보를 생성하는 제3단계; 및 상기 연판정 정보를 이용하여 연판정 복호를 반복 수행하는 제4단계를 포함할 수 있다.또한, 본 기술은 플래시 메모리 시스템에 있어서, 메모리 장치; 및 컨트롤러를 포함하며, 상기 컨트롤러는 블록 단위 연접 BCH(BLOCK-WISE CONCATENATED BCH, BC-BCH) 방식에 의해 행 부호와 열 부호로 구성되는 메시지 블록 단위로 부호화된 코드워드에 대하여 경판정 복호를 수행하는 제1수단; 상기 경판정 복호를 실패한 경우, 상기 메시지 블록 중 상기 경판정 복호에 실패한 오류 메시지 블록의 위치를 산출하는 제2수단; 상기 오류 메시지 블록에 대한 상기 행 부호 및 열 부호에 대응하는 연판정 정보를 생성하는 제3수단; 및 상기 연판정 정보를 이용하여 상기 오류 메시지 블록에 대하여 연판정 복호를 수행하는 제4수단을 포함할 수 있다.
Assignee
에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2015-01-21
Application Number
10-2015-0009859
Registration Date
2021-07-05
Registration Number
10-2275717-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/286508
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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