이온전도성 막 및 이의 제조방법Ion-Conducting Layer and the Fabrication Method Thereof
본 발명에 따른 이온전도성 막은 이온전도성 매트릭스; 및 상기 이온전도성 매트릭스에 분산되고 일정 방향으로 배향된 1차원 분산상;을 포함하며, 상기 1차원 분산상은 1차원 나노구조체의 코어; 및 상기 매트릭스와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성 물질을 함유하는 표면층;을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-02-12
- Application Number
- 10-2020-0016794
- Registration Date
- 2021-06-29
- Registration Number
- 10-2272937-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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