개시제 및 플라스마를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 동작 방법SYSTEM OF INITIATED PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND THE METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 곽무진 | ko |
| dc.contributor.author | 박홍근 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 이민석 | ko |
| dc.contributor.author | 이동효 | ko |
| dc.contributor.author | 박용천 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-03-11T02:30:39Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-11T02:30:39Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/281463 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 개시제와 플라스마를 같이 이용하여 고분자 박막을 증착하는 시스템 및 방법에 관한 것으로, 플라스마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)부에서 전극에 의해 세기가 조절된 플라스마와 개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD)부로 주입되는 개시제를 이용하여 기판 상에 iPECVD 고분자 박막(Polymer thin film)을 증착하는 메인 챔버를 포함한다. | - |
| dc.title | 개시제 및 플라스마를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 동작 방법 | - |
| dc.title.alternative | SYSTEM OF INITIATED PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND THE METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0031572 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2224035-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-03-20 | - |
| dc.date.registration | 2021-03-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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