0에 가까운 유전율을 가지는 물질을 통한 대형 그래핀 공진기의 구현 방법Realization of Large Scale Mid-Infrared Plasmon in Graphene Based on Epsilon-Near-Zero Silicon Carbide Substrate
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 장민석 | ko |
| dc.contributor.author | 김신호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-12-23T12:51:36Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-23T12:51:36Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/279013 | - |
| dc.description.abstract | 엡실론-근사-제로(Epsilon-Near-Zero; ENZ)의 특성을 갖는 기판과, 기판 상에 형성된 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴을 포함하는, 그래핀 플라즈몬 공진기 및 그 제조 방법이 제공된다. 그래핀 플라즈몬 공진기는 적외선 광(예컨대, 중석외선 광)이 조사될 때 플라즈몬 공진을 발생시키며, 적외선(중적외선) 광학 소자를 구성하기 위해 사용된다. | - |
| dc.title | 0에 가까운 유전율을 가지는 물질을 통한 대형 그래핀 공진기의 구현 방법 | - |
| dc.title.alternative | Realization of Large Scale Mid-Infrared Plasmon in Graphene Based on Epsilon-Near-Zero Silicon Carbide Substrate | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 장민석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김신호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0147425 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2193204-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-11-26 | - |
| dc.date.registration | 2020-12-11 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.