DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 안승영 | ko |
dc.contributor.author | 김기범 | ko |
dc.date.accessioned | 2020-12-02T02:50:47Z | - |
dc.date.available | 2020-12-02T02:50:47Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/277912 | - |
dc.description.abstract | 본 발명에 따른 실리콘 관통전극의 측면 비균일성 감지 방법은, 측정된 커패시턴스 값들에 의해, 바이어스 전압에 대한 측정 커패시턴스의 관계식을 로지스틱 함수로 모델링하는 단계; 상기 실리콘 관통전극에 대한 커패시턴스 등가 회로의 관계식과 상기 바이어스 전압에 대한 측정 커패시턴스의 관계식에 의해, 상기 바이어스 전압에 대한 미분 커패시턴스의 관계식을 산출하는 단계; 상기 실리콘 관통전극의 기판부와 유전체부 사이의 계면 전기 퍼텐셜에 대한 미분 커패시턴스의 관계식을 도출하는 단계; 상기 바이어스 전압과 상기 계면 전기 퍼텐셜 사이의 관계식을 도출하는 단계; 및 계면 상태 밀도를 계산하여 상기 실리콘 관통전극의 측면 비균일성을 감지하는 단계를 포함한다. | - |
dc.title | 실리콘 관통전극의 측면 비균일성 감지 방법 및 측면 비균일성을 감지하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독가능 기록매체 | - |
dc.title.alternative | METHOD FOR DETECTING LATERAL NON-UNIFORMITY OF THROUGH SILICON VIA AND COMPUTER-READERBLE RECORDING MEDIUM STORING LATERAL NON-UNIFORMITY DETECTING PROGRAM | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안승영 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0037554 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1875837-0000 | - |
dc.date.application | 2018-03-30 | - |
dc.date.registration | 2018-07-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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