개시제를 이용한 화학 기상 증착의 다층 시스템 및 방법MULTILAYER SYSTEM OF INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING INITIATORS AND THE METHOD THEREOF

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dc.contributor.author임성갑ko
dc.contributor.author최준환ko
dc.contributor.author이민석ko
dc.contributor.author문희연ko
dc.date.accessioned2020-11-03T08:55:33Z-
dc.date.available2020-11-03T08:55:33Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/277091-
dc.description.abstract본 발명에 따른 개시제를 이용한 화학 기상 증착(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD)의 다층 시스템은 내부에 기판을 수용할 수 있는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버 각각에 단량체를 주입하는 복수의 단량체 주입부; 상기 복수의 챔버 각각에 개시제를 주입하는 복수의 개시제 주입부; 상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위해 상기 복수 개의 챔버 각각의 온도를 조절하는 복수의 온도 조절부를 포함할 수 있다.-
dc.title개시제를 이용한 화학 기상 증착의 다층 시스템 및 방법-
dc.title.alternativeMULTILAYER SYSTEM OF INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING INITIATORS AND THE METHOD THEREOF-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor임성갑-
dc.contributor.nonIdAuthor최준환-
dc.contributor.nonIdAuthor이민석-
dc.contributor.nonIdAuthor문희연-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2018-0015112-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2171476-0000-
dc.date.application2018-02-07-
dc.date.registration2020-10-23-
dc.publisher.countryKO-
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CBE-Patent(특허)
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