DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
dc.contributor.author | 최준환 | ko |
dc.contributor.author | 이민석 | ko |
dc.contributor.author | 문희연 | ko |
dc.date.accessioned | 2020-11-03T08:55:33Z | - |
dc.date.available | 2020-11-03T08:55:33Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/277091 | - |
dc.description.abstract | 본 발명에 따른 개시제를 이용한 화학 기상 증착(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD)의 다층 시스템은 내부에 기판을 수용할 수 있는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버 각각에 단량체를 주입하는 복수의 단량체 주입부; 상기 복수의 챔버 각각에 개시제를 주입하는 복수의 개시제 주입부; 상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위해 상기 복수 개의 챔버 각각의 온도를 조절하는 복수의 온도 조절부를 포함할 수 있다. | - |
dc.title | 개시제를 이용한 화학 기상 증착의 다층 시스템 및 방법 | - |
dc.title.alternative | MULTILAYER SYSTEM OF INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING INITIATORS AND THE METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최준환 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이민석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 문희연 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0015112 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2171476-0000 | - |
dc.date.application | 2018-02-07 | - |
dc.date.registration | 2020-10-23 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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