인화인듐결정 제조방법Manufacturing method of indium phosphorous crystal
저가의 원료를 사용하여 간단하고 용이한 공정으로 고품질 인화인듐결정 제조가 가능한 인화인듐결정 제조방법이 제안된다. 본 인화인듐결정 제조방법은 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정을 제조하는 제2단계;를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2018-05-03
- Application Number
- 10-2018-0051035
- Registration Date
- 2020-10-07
- Registration Number
- 10-2165671-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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