ITO 중간층을 포함하는 스커테루다이트 열전소재용 Ti 메탈라이징 구조과 그 형성 방법 및 ITO 중간층을 포함하여 Ti 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재와 그 제조 방법Ti METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH ITO INTERLAYER, Ti METALIZING METHOD, SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Ti METALIZING AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
본 발명은 Ti 메탈라이징층을 적용함에 있어서 금속화합물층이 얇아짐으로써 열전소자의 효율을 향상시킬 수 있는 메탈라이징 방법에 관한 것으로, Ti 포일의 표면에 ITO 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계; 및 상기 ITO 중간층이 스커테루다이트 열전소재 측을 향하도록 Ti 포일을 스커테루다이트 열전소재의 표면에 접합하여 Ti 메탈라이징층을 형성하는 접합 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, Ti 포일의 표면에 ITO 중간층을 형성한 뒤에 열전소재 분말을 소결함으로써, 소결과정의 상호 확산에 의해 형성되는 금속간화합물의 형성을 줄일 수 있는 효과가 있다. 또한, ITO 중간층에 의해서 고온에서 장시간 사용하는 과정에서 생성되는 금속간화합물을 줄여서, 열전소자의 수명을 늘려 경제성이 높아지는 효과가 있다.
- Assignee
- 한국에너지기술연구원,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2018-12-31
- Application Number
- 10-2018-0173552
- Registration Date
- 2020-08-06
- Registration Number
- 10-2144070-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.