개시제를 사용한 화학 기상 증착 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 고분자 절연막METHOD OF PREPARING POLYMER INSULATOR THIN FILM USING INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND POLYMER INSULATOR THIN FILM PREPARED BY THE METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 박관용 | ko |
| dc.contributor.author | 이창현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-09-18T04:25:52Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-18T04:25:52Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/276276 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 이용하여 다이아크릴레이트(Diacrylate) 계열의 고분자 절연막을 제조하는 기술에 관한 것으로, 개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 이용하여 다이아크릴레이트(Diacrylate) 계열의 고분자를 합성하는 단계, 상기 합성된 가교 고분자(cross-linking polymer)를 블로킹 유전막(Blocking dielectric layer)으로 사용하고, 상기 블로킹 유전막 상에 iCVD 공정을 통해 고분자 폴리머를 형성하는 단계 및 상기 블로킹 유전막 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 메모리 특성을 나타내는 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 개시제를 사용한 화학 기상 증착 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 고분자 절연막 | - |
| dc.title.alternative | METHOD OF PREPARING POLYMER INSULATOR THIN FILM USING INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND POLYMER INSULATOR THIN FILM PREPARED BY THE METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0004673 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2153808-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-01-14 | - |
| dc.date.registration | 2020-09-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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