국부적 발열 현상을 이용하여 트랜지스터의 출력전류를 증가시키는 어닐링 방법A ANNEALING METHOD FOR ENHANCING DRIVING CURRENT OF TRANSISTOR USING LOCALIZED HEAT
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 한준규 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.contributor.author | 김충기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-06-03T11:23:00Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-03T11:23:00Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/274521 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극에 인가된 전기 신호에 의해 발생하는 국부적인 줄열(Joule heat)을 이용하여 전계효과 트랜지스터의 출력전류를 향상시키는 트랜지스터의 어닐링 방법에 관한 것으로, 트랜지스터에 높은 온도의 줄열을 짧게 국부적으로 발생시킴으로써, 컨택저항을 감소시키고, 불안정한 결합에 의한 결함, 수분, 산소, 폴리머 잔여물 등과 같은 불순물을 제거하며, 채널 영역에서의 전자이동도를 증가시켜서 트랜지스터의 전류 특성을 향상시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 국부적 발열 현상을 이용하여 트랜지스터의 출력전류를 증가시키는 어닐링 방법 | - |
| dc.title.alternative | A ANNEALING METHOD FOR ENHANCING DRIVING CURRENT OF TRANSISTOR USING LOCALIZED HEAT | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한준규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박준영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김충기 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0083226 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2095641-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-07-18 | - |
| dc.date.registration | 2020-03-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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