DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박병국 | ko |
dc.contributor.author | 백승헌 | ko |
dc.contributor.author | 박경웅 | ko |
dc.date.accessioned | 2020-05-30T03:21:06Z | - |
dc.date.available | 2020-05-30T03:21:06Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/274383 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 연결된 제1 셀 및 제2 셀을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 각각 상기 제1 전극에 연결된 제1 자성층을 포함한다. | - |
dc.title | 반도체 소자 | - |
dc.title.alternative | Semiconductor Device | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 박병국 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박경웅 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0046436 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2108399-0000 | - |
dc.date.application | 2019-04-22 | - |
dc.date.registration | 2020-04-29 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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