초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 간단한 모놀리식(monolithic) 제조방법에 의하여 제조될 수 있는 고성능의 유연한 수직형 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 투명 기판상에서 성장된 Ⅲ-Ⅴ족 반도체의 표면에 금속을 코팅하는 단계; (b) 상기 금속이 코팅된 기판에 투명 기판 방향에서 레이저를 조사하여 반도체-금속 박막을 박리하는 단계; (c) 상기 박리된 반도체-금속 박막상의 반도체를 선택적으로 에칭(etching)하여 마이크로 LED 칩을 형성하는 단계; (d) 상기 마이크로 LED칩이 형성된 박막의 표면을 제 1 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부가 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계; (e) 상기 제1고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부를 연결하는 전극을 형성하는 단계; (f) 상기 (e)단계에서 형성된 전극의 표면을 제2고분자 화합물로 코팅하는 단계; (g) 상기 (a)단계에서 코팅된 금속박막을 제거하며 반도체를 노출시키는 단계; (h) 상기 노출된 반도체의 표면을 제 3 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 p-type 영역이 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계; (i) 상기 제3고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 p-type 영역을 연결하는 전극을 형성하는 단계; 및 (j) 상기 (i)단계에서 형성된 전극의 표면을 제4고분자 화합물로 코팅하는 단계를 포함하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.