$4F^2$ 디램 셀을 위한 수직 게이트 트랜지스터의 플로팅 바디 효과 및 메모리 동작에 미치는 영향 연구(A) study on floating body effects and memory operation of vertical gate transistor for $4F^2$ DRAM cell

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공정상의 어려움과 게이트 길이의 축소에 의한 누설 전류의 증가로 디램 셀의 계속적인 스케일링 축소는 점점 어려워 지게 되었다. 따라서 집적도를 향상 시키기 위하여 4F2 디램 셀이 제안되었다. $4F^2$ 디램 셀을 구현하기 위해서는 워드라인과 비트라인이 수직하게 교차해야 하기 때문에 트랜지스터는 수직하게 교차하게 된다. 이런 구조는 구조적 특성상 바디 전극을 만들 수 없기 때문에 플로팅 바디 효과인 킨크 현상과 기생 바이폴라 트랜지스터가 나타나게 된다. 이번 석사학위논문에서는 시뮬레이션과 실험을 통하셔 $4F^2$ 디램 셀에서 플로팅 바디 효과를 분석하였다. 시뮬레이션과 실험결과 완전 공핍상태에서는 플로팅 바디효과가 제거되는 것을 확인하였다. 따라서 디램 셀에 수직 게이트 트랜지스터를 이용하기 위해서는 실리콘의 두께가 20nm 보다 작아야한다. 더불어, $4F^2$ 디램 셀의 공정상의 어려움을 해결하고자 무접합 트랜지스터를 처음으로 적용하였다. 무접합 트랜지스터를 적용한 $4F^2$ 디램 셀에서는 기존의 수직 게이트에서 나타나는 공정상의 문제를 해결할 수 있었고 시뮬레이션 결과 플로팅 바디효과가 적게 나타나서 메모리 동작상에 문제가 없이 잘 동작하는 것을 확인하였다.
Advisors
이석희researcherLee, Seok-Heeresearcher
Description
한국과학기술원 :전기및전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2013
Identifier
325007
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2013.2,[viii, 69 p. :]

URI
http://hdl.handle.net/10203/266697
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=848990&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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