非強誘電性高誘電体及びその製造方法비강유전성 고유전체 및 그 제조 방법
【課題】小さい粒子サイズでも高い比誘電率を有し、温度に対する誘電率の変化幅が狭く、高周波数領域においても高い比誘電率と低い誘電損失を有する非強誘電性高誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型誘電体の製造方法は、チタン酸化合物及び前記チタン酸化合物の融点未満の値を有する強誘電体を得るステップ、前記強誘電体物質を前記チタン酸化合物に添加して混合物を得るステップ及び前記混合物を前記強誘電体物質の融点以上の温度で焼結するステップを含む。
【選択図】図1
- Assignee
- KAIST
- Country
- JA (Japan)
- Application Date
- 2018-03-20
- Application Number
- 2018-052832
- Registration Date
- 2019-06-21
- Registration Number
- 6541822
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.