질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법Manufacturing method of transparent conductor using random cracking of silicon nitride film
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최성율 | ko |
| dc.contributor.author | 고승환 | ko |
| dc.contributor.author | 서영덕 | ko |
| dc.contributor.author | 이진환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-07-22T02:30:06Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-22T02:30:06Z | - |
| dc.date.issued | 2019-07-16 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/263664 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 투명전극 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법은 비정형성의 음각패턴을 포함하는 기재를 재사용할 수 있으며, 이에 따라 전기적 또는 광학적 물성이 항상 일정한 투명전극을 대량생산할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 투명전극은 투명기판 내에 비정형적 패턴을 갖는 전도성 물질이 형성됨으로써, 패턴이 단순하게 반복됨으로써 발생할 수 있는 모아레 효과가 없으므로 시각적으로 유리한 효과가 있다. | - |
| dc.title | 질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Manufacturing method of transparent conductor using random cracking of silicon nitride film | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 고승환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서영덕 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이진환 | - |
| dc.contributor.assignee | 서울대학교산학협력단,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0181162 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2002313-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-12-28 | - |
| dc.date.registration | 2019-07-16 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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