정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법THE LOCAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING FORWARD BIAS CURRENT IN MOSFET
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 이건범 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.contributor.author | 배학열 | ko |
| dc.contributor.author | 김충기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:34:24Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:34:24Z | - |
| dc.date.issued | 2018-03-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256696 | - |
| dc.description.abstract | 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다. | - |
| dc.title | 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법 | - |
| dc.title.alternative | THE LOCAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING FORWARD BIAS CURRENT IN MOSFET | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이건범 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0129674 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1838912-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-10-07 | - |
| dc.date.registration | 2018-03-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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