개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법Method of Preparing Polymer Film Using iCVD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 차국헌 | ko |
| dc.contributor.author | 유영민 | ko |
| dc.contributor.author | 김의태 | ko |
| dc.contributor.author | 김도흥 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:17:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:17:21Z | - |
| dc.date.issued | 2017-07-25 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256569 | - |
| dc.description.abstract | 황 공중합체(poly(S-r-DIB))가 코팅된 다양한 기판, 특히 리튬-황 이차전지의 황 공중합체 전극에 개시제를 이용한 화학적 기상 증착 공정 (iCVD)를 활용하여 다양한 고분자 막을 형성하고, 코팅된 고분자막은 황 공중합체가 코팅된 기판과 좋은 접착력을 보이며 이를 황 공중합체 전극에 적용하였을 때 코팅된 고분자막이 충/방전 과정간에 용출되는 폴리설파이드 음이온이 양극으로부터 전해질 층으로 빠져나가는 것을 방지하는 효과를 보인다. | - |
| dc.title | 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of Preparing Polymer Film Using iCVD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 차국헌 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유영민 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김의태 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김도흥 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,서울대학교산학협력단 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0023381 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1763356-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-02-26 | - |
| dc.date.registration | 2017-07-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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