멤스 디바이스 제조 방법

Abstract

본 발명은 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구조물 절연막을 이용한 보이드 패턴의 형성 후, 희생층을 증착함으로써, CMOS 호환성 있는 공정에 의해 종래와 같은 하부 전극의 박리 현상이 전혀 발생되지 않으며, 스핀 온 절연막(SOD) 또는 스핀 온 글래스(SOG)를 통한 스핀 증착에 따라 하부 패턴에 영향을 받지 않으면서 평탄화가 가능하며, 비아홀의 형성시, 클리닝(cleaning) 공정을 더 수행하여 후속 증착 공정에서의 오염을 원천적으로 방지할 수 있는 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것이다.