터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 초 저전력 전열처리를 통한 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법THE METHOD FOR FABRICATING A TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMPROVING OF THE DRIVE CURRENT IN TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR UTILIZING ULTRA-LOW POWER ELECTRO-THERMAL LOCAL ANNEALING
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T16:57:06Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T16:57:06Z | - |
| dc.date.issued | 2018-03-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256352 | - |
| dc.description.abstract | 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 초 저전력 전열처리를 통한 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법이 제공된다. 상기 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법은, (a) 게이트 전극을 턴오프(turn off) 시키는 단계, (b) 소스 전극과 드레인 전극 사이에 전류를 인가하여 터널링 전계효과 트랜지스터에 전열처리를 수행하는 단계, 및 (c) 소스 전극과 드레인 전극에 주입된 이온을 활성화 시키는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 초 저전력 전열처리를 통한 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법 | - |
| dc.title.alternative | THE METHOD FOR FABRICATING A TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMPROVING OF THE DRIVE CURRENT IN TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR UTILIZING ULTRA-LOW POWER ELECTRO-THERMAL LOCAL ANNEALING | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박준영 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0035884 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1838910-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-03-22 | - |
| dc.date.registration | 2018-03-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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