실리콘 반도체를 기반으로 하는 광 빔 포밍 네트워크 칩

Abstract

일실시예에 따르면, 실리콘 반도체를 기반으로 실리콘 단일 반도체 공정(monolithic integration)에 의해 제작되어, 위상배열안테나의 신호 처리를 위한 실제 시간지연을 이용하는 광 빔 포밍 네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 칩은 광원으로부터 발생되는 광 파워를 균등한 파워로 분기하는 적어도 하나의 파워 스플리터(Power splitter); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터를 이용하여, 복수의 안테나들로부터 송수신되는 복수의 RF 신호들을 복수 채널의 광 신호들로 변경하는 복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광 변조기들; 상기 복수 채널의 광 신호들에 대해 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는 복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기 복수 채널의 광 신호들이 결합된 단일 광 신호 또는 상기 복수 채널의 광 신호들을 RF 신호로 변경하는 광 검출기(Photodetector); 및 상기 적어도 하나의 파워 스플리터, 상기 복수의 MZM 광 변조기들, 상기 복수의 TTD 소자들 및 상기 광 검출기 각각을 연결하는 광 도파로를 포함한다.