파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법Selectable wavelength infrared sensor and manufacturing method of thereof

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dc.contributor.author나노팹ko
dc.contributor.author김태현ko
dc.contributor.author김희연ko
dc.contributor.author박종철ko
dc.contributor.author김정우ko
dc.contributor.author홍대원ko
dc.date.accessioned2019-04-15T15:57:51Z-
dc.date.available2019-04-15T15:57:51Z-
dc.date.issued2018-08-31-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/255498-
dc.description.abstract본 발명은 파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 입사되는 적외선 복사 파장을 선택할 수 있도록 공진 파장을 가변할 수 있도록 제조된 파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 파장 선택형 적외선 센서는 검출회로를 포함하는 기판(100), 상기 기판(100)의 상면에 형성되는 고정반사판(200), 상기 기판(100)의 상면에 형성되되, 상기 고정반사판(200)의 양측에 형성되는 금속 패드(300), 상기 고정반사판(200)의 상측에 일정거리 이격되어 형성되는 흡수부(400) 및 상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이에 형성되며, 상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이를 상하로 이동 가능한 이동반사판(500)을 포함하며, 상기 이동반사판(500)은 입사되는 적외선의 파장에 따라 상하로 움직여 상기 공기층(A)의 간격을 조절하는 것을 특징으로 한다.-
dc.title파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법-
dc.title.alternativeSelectable wavelength infrared sensor and manufacturing method of thereof-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.nonIdAuthor김태현-
dc.contributor.nonIdAuthor김희연-
dc.contributor.nonIdAuthor박종철-
dc.contributor.nonIdAuthor김정우-
dc.contributor.nonIdAuthor홍대원-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2016-0122142-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1897068-0000-
dc.date.application2016-09-23-
dc.date.registration2018-08-31-
dc.publisher.countryKO-
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RIMS Patents
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