비강유전 고유전체 및 그 제조방법NONFERROELECTRIC DIELECTRIC MATERIALS AND METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정성윤 | ko |
| dc.contributor.author | 윤혜인 | ko |
| dc.contributor.author | 조기영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T15:40:02Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T15:40:02Z | - |
| dc.date.issued | 2018-09-28 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/255239 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따르면, 티탄산 화합물 및 상기 티탄산 화합물의 녹는점 미만의 값을 가지는 강유전체를 얻는 단계, 상기 강유전체 물질을 상기 티탄산 화합물에 첨가하여 혼합물을 얻는 단계 및 상기 혼합물을 상기 강유전체 물질의 녹는점 이상의 온도로 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 1μm 미만의 티탄산화합물계 입자 및 강유전체 입계로 이루어진 입계절연형 유전체로, 티탄산스트론튬 화합물에 기초한 유전체의 경우 작은 입자크기에도 불구하고 높은 비유전율과 낮은 유전손실을 나타내며, 온도변화에 따른 낮은 유전율의 변화폭을 가진다. 따라서 고용량 커패시터에 적합하며 전자부품의 크기를 줄일 수 있다. 티탄산바륨 화합물에 기초한 유전체의 경우, N2 에서 후속열처리를 진행한 경우, 1MHz의 높은 주파수 영역에서 1400이상의 높은 비유전율을 가지며 20%이하의 유전손실을 갖는다. 반면, 상압(air)에서 후속열처리를 진행한 경우, 주파수와 거의 무관하게 일정한 비유전율을 가지며, 유전손실도 낮게 유지된다. 또한 환경 및 인체에 무해한 강유전체 재료(K0.5Na0.5NbO3, KNbO3, NaNbO3)를 사용하여 기존 유전체보다 환경친화적이다. | - |
| dc.title | 비강유전 고유전체 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | NONFERROELECTRIC DIELECTRIC MATERIALS AND METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 정성윤 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤혜인 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0058496 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1905143-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-05-11 | - |
| dc.date.registration | 2018-09-28 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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