질화물 기반 반도체 양자점의 하위밴드 전이를 이용한 광통신파장에서 상온 동작 가능한 결정적 양자광원과 그 제작 방법 및 동작 방법ROOM TEMPERATURE DETERMINISTIC QUANTUM EMITTER OPERATING AT OPTICAL COMMUNICATION WAVELENGTH USING III-NITRIDE QUANTUM DOT INTERSUBBAND TRANSITION AND MANUFACTURING AND OPERATING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조용훈 | ko |
| dc.contributor.author | 여환섭 | ko |
| dc.contributor.author | 조종회 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:59:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T14:59:21Z | - |
| dc.date.issued | 2018-11-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254670 | - |
| dc.description.abstract | 질화물 기반 반도체 양자점의 하위밴드 전이를 이용한 광통신파장에서 상온 동작 가능한 결정적 양자광원과 그 제작 방법 및 동작 방법이 제시된다. 일 실시예에 따른 양자광원 제작 방법은 기판에 삼차원 구조체를 형성하는 단계; 상기 삼차원 구조체의 상부에 n 타입으로 도핑된 박막을 형성하는 단계; 상기 n 타입으로 도핑된 박막의 상부에 양자점을 형성하는 단계; 상기 삼차원 구조체를 광학적 구조로 사용하기 위해 삼차원 구조체를 재성장시키는 단계; 상기 삼차원 구조체의 꼭지점에 금속박막을 증착하는 단계; 및 n 타입으로 도핑된 영역과 상기 금속박막에 각각 전극을 연결하는 단계를 포함하고, 연결된 상기 전극에 전압 인가를 통해 상기 양자점에 전자가 포획되며 상기 양자점을 광 여기시켜 양자광원을 동작시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 질화물 기반 반도체 양자점의 하위밴드 전이를 이용한 광통신파장에서 상온 동작 가능한 결정적 양자광원과 그 제작 방법 및 동작 방법 | - |
| dc.title.alternative | ROOM TEMPERATURE DETERMINISTIC QUANTUM EMITTER OPERATING AT OPTICAL COMMUNICATION WAVELENGTH USING III-NITRIDE QUANTUM DOT INTERSUBBAND TRANSITION AND MANUFACTURING AND OPERATING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조용훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 여환섭 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0091368 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1921825-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-07-19 | - |
| dc.date.registration | 2018-11-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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