DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김일두 | ko |
dc.contributor.author | 장지수 | ko |
dc.contributor.author | 구원태 | ko |
dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:45:01Z | - |
dc.date.available | 2019-04-15T14:45:01Z | - |
dc.date.issued | 2018-12-18 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254382 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 가스센서용 부재, 이를 이용한 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 금속유기구조체를 활용하여 만들어진 나노입자 촉매가 포함된 p-type 특성을 띄는 제1금속산화물 중공 나노큐브들이 갈바닉 치환과정을 거쳐 n-type 특성을 띄는 제2금속산화물 중공 나노큐브로 치환되고 나노입자가 동시에 기능화되어 있는 소재를 이용한 가스센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 기존의 금속유기구조체 물질 기반으로 합성하기 어려운 n-type 중공 나노큐브구조체를 갈바닉 치환반응이라는 화학반응을 이용하여 합성할 수 있으며, 이렇게 합성된 n-type 특성을 지니는 중공 나노큐브는 넓은 비표면적 및 활성화된 촉매특성을 바탕으로 극소량의 가스를 검출 해 낼 수 있는 우수한 감도특성과 함께, 손쉬운 용액공정법으로 대량생산이 가능하게 함으로써 효과적인 가스센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조방법을 개시 할 수 있는 효과를 갖는다. | - |
dc.title | 갈바닉 치환반응을 이용한 나노입자 촉매가 포함된 금속유기구조체기반 중공구조의 P-N 정션 금속산화물 나노큐브를 이용한 가스센서 부재 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | GAS SENSING LAYERS USING METAL OXIDE NANOCUBE WITH P-N JUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 김일두 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 장지수 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 구원태 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0094505 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1932351-0000 | - |
dc.date.application | 2017-07-26 | - |
dc.date.registration | 2018-12-18 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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