박막 트랜지스터용 고분자 절연막의 제조방법Method of Preparing Polymer Insulator Film for Thin-Film Transistor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 주문규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:44:48Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T14:44:48Z | - |
| dc.date.issued | 2018-12-04 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254376 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 개시제를 이용한 화학기상증착법(initiated chemical vapor deposition, iCVD)을 이용하고 높은 유전상수를 나타내는 사이아나이드(cyanide) 또는 히드록시(hydroxyl) 작용기를 가진 단량체를 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제를 이용해 가교하여 절연막의 절연특성을 증가시킬 수 있으며, 20~100nm의 매우 얇은 두께에서도 매우 작은 누설전류만 나타내 유기반도체뿐만 아니라 산화물반도체를 이용한 TFT에 적용하여 낮은 구동전압을 가진 고성능 TFT를 제작할 수 있다. | - |
| dc.title | 박막 트랜지스터용 고분자 절연막의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of Preparing Polymer Insulator Film for Thin-Film Transistor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최준환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 주문규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0050307 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1927372-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-04-19 | - |
| dc.date.registration | 2018-12-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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