반도체 메모리용 구동장치 및 방법DRIVER FOR SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS METHOD
본 발명은 PRAM, ReRAM의 메모리 셀 등과 같이 반도체 메모리에 전류 구동 방식으로 데이터를 기입하는 구동장치 및 방법에 있어서, 보다 향상된 쓰기 속도를 구현할 수 있는 새로운 방식의 반도체 메모리용 구동장치 및 방법을 제공한다. 본원의 제1 발명에 따른 반도체 메모리용 구동장치는, 메모리 셀 어드레스와 상기 메모리 셀 어드레스의 버킷 충전전류 데이터를 매칭시켜 저장하는 저장부; 상기 메모리 셀 어드레스와 목표 충전전류 데이터를 인가받고, 상기 저장부를 참조하여 상기 버킷 충전전류 데이터에 대응하는 버킷 충전전류 선택신호와 상기 목표 충전전류 데이터에 대응하는 목표 충전전류 선택신호를 출력하는 선택 제어부; 및 상기 버킷 충전전류 선택신호 및 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 버킷 충전전류 및 목표 충전전류를 공급하는 전류공급부를 포함한다.
- Assignee
- 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2019-01-09
- Application Date
- 2012-07-06
- Application Number
- 10-2012-0073758
- Registration Date
- 2019-01-09
- Registration Number
- 10-1938677-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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