반도체 메모리용 구동장치 및 방법DRIVER FOR SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS METHOD
본 발명은 복수개의 메모리 셀로 구성된 저항성 메모리에 쓰기를 하는 저항성 메모리용 쓰기 구동장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 저항성 메모리용 쓰기 구동장치는 각 메모리 셀에 대하여 데이터 쓰기를 위한 목표 충전전류(ITARGET) 및 프리 차지(pre-charge)를 위한 버킷 충전전류(IBUCKET)를 선택하는 선택제어부; 상기 선택제어부에 의해 선택된 전류를 각 메모리 셀에 공급하는 전류 공급부; 및 상기 버킷 충전전류를 조정하는 버킷 충전전류 조정부를 포함한다.본 발명에 따르면, 저항성 메모리에 전류 구동 방식으로 데이터를 기입하면서 보다 향상된 쓰기 속도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
- Assignee
- 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-12-10
- Application Date
- 2012-05-16
- Application Number
- 10-2012-0052057
- Registration Date
- 2018-12-10
- Registration Number
- 10-1929521-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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