포토리쏘그래피법과 드라이 에칭법을 이용한 탄소나노튜브다층막 패턴의 제조방법

Abstract

본 발명은 아민기가 노출된 기질 위에 카르복실기가 노출된 CNT를 아미드 결합을 통해 반복적으로 고정하여 CNT 다층막 필름을 형성한 다음, 상기 CNT 다층막 필름으로부터 포토리쏘그래법과 드라이 에칭기술을 이용하여 CNT 다층막 패턴을 형성하는 방법 및 상기 CNT 다층막 패턴을 열처리하여 표면에 결함부위(defect site)가 없는 CNT 다층막 패턴을 수득한 다음, 상기 결함부위가 없는 CNT 다층막 패턴에, 계면활성제류 또는 파이-스태킹 (π-stacking)이 가능한 부위를 가지고 있는 화학물질을 물리적으로 고정시켜 다양한 화학적 작용기가 노출되어 있는 CNT 다층막 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 선택되지 않은 영역에서도 CNT가 일부 고정되는 종래기술의 문제점을 해결하여, 선택된 영역에서만 CNT가 고정되어 있는 선명한 CNT 다층막 패턴을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 화학적 작용기가 물리적으로 고정되어 표면에 노출된 CNT 다층막 패턴은 바이오센서 제작에 유용하다. 탄소나노튜브(CNT), 필름, 패턴, 포토리쏘그래피, 다층막, 드라이에칭